Agilecom Photonicsについて
Agilecom Photonics は、通信、セキュリティシステムなどの業界リーダーを含む、世界の多くの大手企業向けに光学部品やデバイスを設計・製造しています。Agilecomが製造するアクティブおよびパッシブコンポーネントは、Bell core、GR468、GRl 209/1221などの国際規格や中国のTLC規格に準拠しています。
完全子会社にAgilechip Photonicがあります。
製品ラインナップ
CWDM4 Mux/Demux
CWDM4 Mux & Demuxは、業界をリードする8インチシリカウェハの製造により製造され、TOSAやROSAのTFF（Thin Film Filter）を置き換えることができます。これらは、40 G、100 G、200 G、400 Gのハイデータレート・トランシーバ向けの最もコスト効率の高いソリューションです。
特徴
- 高い安定性と信頼性
- 低挿入損失と低PDL
- 小容量
- 多チャンネル
- 高い中心波長精度
アプリケーション
- WDM伝送
- ハイデータレート・トランシーバ
- QSFP + 40G LR4またはQSFP28 100G LR4 TOSAおよびROSA
仕様
| パラメーター | Mux | Demux | 説明 | Unit | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Min | Typ | Max | Min | Typ | Max | ||||
| チャンネルピッチ | 250 / 500 / 750 | 250 | μm | ||||||
| 中心波長 | Lane 1 | 1271 | 1271 | ITU-T G.694.2 | nm | ||||
| Lane 2 | 1291 | 1291 | nm | ||||||
| Lane 3 | 1311 | 1311 | nm | ||||||
| Lane 4 | 1331 | 1331 | nm | ||||||
| 中心波長精度 | <±1 | <±2 | nm | ||||||
| 挿入損失 | 3 | 2.5 | オンチップ・ピーク伝送 | dB | |||||
| PDL | 0.5 | 0.5 | ITUパスバンドにおける全偏波状態の伝送比 | dB | |||||
| 1dB 帯域幅 | 10 | 14 | 最小値より1dBダウン IL、全幅 | nm | |||||
| 3dB 帯域幅 | 14 | 15 | |||||||
| リターンロス | 40 | 40 | dB | ||||||
| リップル | 1.25 | 1 | dB | ||||||
| 隣接クロストーク | 26 | 26 | 最大透過率に対するピーク透過率の比率 | dB | |||||
| 動作温度 | -5 ~ 70 | ℃ | |||||||
| 保存温度 | -40 ~ 85 | ℃ | |||||||
LWDM Mux/Demux
LWDM4 AWG Mux & Demuxは、業界をリードする8インチシリカウェハの製造により、TOSAやROSAのTFF（Thin Film Filter）を置き換えることができます。これらは、ハイデータレート・トランシーバCFP、CFP2用の最もコスト効率の高いソリューションです。
特徴
- 高い安定性と信頼性
- 低挿入損失と低PDL
- 小容量
- 多チャンネル
- 高い中心波長精度
アプリケーション
- WDM伝送
- データセンター用トランシーバー
- CFP、CFP2 100G LR4 TOSA/OSA
仕様
| パラメーター | Mux | Demux | 説明 | Unit | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Min | Typ | Max | Min | Typ | Max | ||||
| チャンネルピッチ | 750 | 750 | μm | ||||||
| 中心波長 | Lane 1 | 1295.56 nm(231.4 THz) | 1295.56 nm(231.4 THz) | IEE 802.3ba | – | ||||
| Lane 2 | 1300.05 nm(230.6 THz) | 1300.05 nm(230.6 THz) | – | ||||||
| Lane 3 | 1304.58 nm(229.8 THz) | 1304.58 nm(229.8 THz) | – | ||||||
| Lane 4 | 1309.14 nm(229.0 THz) | 1309.14 nm(229.0 THz) | – | ||||||
| 中心波長精度 | ±0.3 | ±0.3 | nm | ||||||
| 挿入損失 | 3 | 2.5 | オンチップ・ピーク伝送 | dB | |||||
| PDL | 0.5 | 0.5 | ITUパスバンドにおける全偏波状態の伝送比 | dB | |||||
| 1dB帯域幅 | 2.2 | 2.8 | 最小値より1dBダウン IL、全幅 | nm | |||||
| リターンロス | 40 | 40 | dB | ||||||
| 隣接クロストーク | 26 | 26 | 最大透過率に対するピーク透過率の比、 伝送隣接する両方のパスバンドにわたって。 |
dB | |||||
| 非隣接クロストーク | 30 | 30 | 最大透過率に対するピーク透過率の比、 伝送隣接する両方のパスバンドにわたって。 |
dB | |||||
| 動作温度 | -5 ~ 70 | ℃ | |||||||
| 保存温度 | -40 ~ 85 | ℃ | |||||||
12 ch/16 ch/20 ch フラットトップサイクリック サーマルAWG
（Cyclic AAWG）
サイクリック熱配列導波路型グレーティング（Cyclic AAWG）は、電力を消費しない完全なパッシブデバイスです。光学性能は、セントラルオフィスでは-5℃から65℃まで、リモートノードアプリケーションでは-40℃から85℃まで保証されます。WDM-PONアプリケーション用に最適化されたこのサイクリックAAWGは、デュアルバンド動作用に構成されています。Cバンド・チャネルとLバンド・チャネルが同時にサポートされます。ダウンストリーム方向では、シングルモード入力ファイバーから、指定された波長帯域の各チャンネルに対応する異なる出力ファイバーにチャンネルストリームを空間的に分離します。上流方向では、第2の波長帯域のチャネルに対して同時に逆のプロセスが行われます。
特徴
- 実績あるPLC技術に基づく
- 半導体量産
- MSA互換
- 低挿入損失と高アイソレーション
アプリケーション
- DWDMシステムにおけるMUX/DEMUX
- 長距離/メトロネットワーク
- OADMノード アプリケーション
- 5Gフロントホール
仕様
| パラメータ | 仕様 | Unit | 説明 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| Min | Typ | Max | |||
| チャンネル数 | 20 | CH | 12ch 、16ch、20chオプション | ||
| チャネル間隔 | 100 | GHz | 参照バンド | ||
| 中心波長 | 191.5 | 196 | THz | ITUチャンネル | |
| 基準透過波長 | 12.5 | 12.5 | GHz | ||
| 波長精度 | -50 | 50 | pm | ||
| 挿入損失 @ITU+/-12.5GHz | 5.5 | 6 | dB | 通過帯域内 | |
| 挿入損失 | 1 | dB | すべてのチャネルおよび偏光依存損失を含む | ||
| 平坦性 | 0.5 | dB | 伝送帯域内の損失変動 非偏光 | ||
| 偏光依存損失 | 0.5 | dB | 伝送帯域内の最大値 | ||
| 1dB帯域幅（ピーク挿入損失） | 0.4 | nm | 1.0dB下向き非偏波 | ||
| 3dB帯域幅（ピーク挿入損失） | 0.6 | nm | 3.0dB下向き非偏波 | ||
| 隣接チャネル分離 | 23 | 25 | dB | 偏光依存損失を含む最悪の伝送帯域幅 | |
| 非隣接チャネル分離 | 27 | 30 | dB | 偏光依存損失を含む最悪の伝送帯域幅 | |
CWDM
薄膜フィルター技術で製造された粗波長分割多重（CWDM）デバイスとモジュールは、低挿入損失、低クロストーク、広通過帯域幅、高アイソレーションの特性を持ち、低コストで双方向光通信システムを構築することができます。
特徴
- 低挿入損失
- 高いチャンネル絶縁
- 光路内エポキシフリー
- 2~18チャンネル構成
アプリケーション
- CWDM/DWDM システム
- CATV システム
仕様
| パラメータ | Unit | 仕様 | |||
|---|---|---|---|---|---|
| チャンネル数 | ch | 4 | 8 | ||
| 中心波長 | nm | 1470,1490… 1610 or 1471,1491… 1611 | |||
| チャンネル間隔 | nm | 20 | |||
| チャンネル通過帯域 | Min | nm | ±6.5 | ||
| 挿入損失 | Max | dB | 1.8 | 2.8 | |
| アイソレーション | 隣接チャンネル | Min | dB | 30 | |
| 非隣接チャネル | Min | dB | 40 | ||
| 通過帯域リップル | Max | dB | 0.4 | 0.5 | |
| 偏波依存損失 | Max | dB | 0.1 | ||
| 指向性 | Min | dB | 55 | ||
| リターンロス | Min | dB | 50 | ||
| 偏波モード分散 | Max | ps | 0.1 | ||
| パワーハンドリング | Max | mW | 500 | ||
| ピグテールタイプ | mm | 0.9, 2.0 or 3.0 | |||
| 動作温度 | ℃ | -10~70 | |||
| 保存温度 | ℃ | -4~85 | |||
| パッケージ寸法 | mm | 100×80×10 or Customized | |||
DBRレーザー
分布ブラッグ反射レーザー（DBRレーザー）は、レーザーダイオード、熱電冷却器（TEC）、サーミスタ、モニターフォトダイオードを含む、熱的に密閉された14ピンのバタフライパッケージで製造されています。9ピン、TOパッケージ、および同じ性能と認定を持つレーザーソースのカスタマイズパッケージも製造可能です。
特徴
- 最大20 mW
- 高信頼性
- カスタマイズパッケージ（オプション）
アプリケーション
- MOPA メイン発振器
- DPSSレーザーシード光源
- バウンス可変
仕様
| パラメータ | Symbol | テスト条件 | Min | Typ | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ピーク光出力 | PP | – | 10 | – | – | mW |
| スレッショルド電流 | lTH | CW | – | 30 | 40 | mA |
| 駆動電流 | – | Po=10 mW | – | 90 | 100 | mA |
| レーザー順電圧 | VLF | Po=10 mW | – | 1.8 | 2 | V |
| サーミスタ抵抗 | RTH | TL=25℃ | 9.5 | – | 10.5 | kΩ |
| 中心波長 | λc | TLD=15~35℃,CW | 1062 | 1064 | 1066 | nm |
| サイドモード抑制比 | SMSR | CW | 30 | – | – | dB |
| 線幅 | LW | CW | – | 1 | – | MHz |
| モニター電流 | IRMON | Po=10 mW | 0.1 | – | – | mA |
| TEC電流 | lTEC | – | – | – | 1.9 | A |
| 動作温度範囲 | To | TEC is Operating | -20 | – | 70 | ℃ |
| 保存温度範囲 | Tstg | – | -40 | – | 85 | ℃ |
販売実績
（2025年2月更新）
企業
- 光関連電子部品メーカー