BOX Optronics Techとは
深セン市博科斯光電科技有限公司は光ファイバモジュール、レーザーデバイス、カスタマイズ光学製品ソリューションを提供する会社です。主に光ファイバ通信、光ファイバセンシング分野に従事しています。より強い研究開発、生産と販売能力、及び高級製品の研究開発エンジニアを持っています。
主な製品:・レーザーモジュール ・大出力レーザ ・光ファイバ受動デバイス
当社はBOX Optronics Techの代理店です。
ラインナップ
808 nm/10 ~ 420W
915 nm/10 W~420 W
940 nm/10 W~420 W
975 nm/10 W~420 W
1310 nm
808 nm/10 ~ 420W
808 nm 10W 105μm 半導体レーザー
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特徴
- 808 nm シングル・エミッテング・レーザー
- 高輝度
- 10 W 出力
- RoHS対応
- 105/125 μm 0.22 NAファイバー
用途
- 医療分野
- 物質加工
パラメーター(抜粋)
Parameter | Symbol | Min | Typical | Max | Unit |
---|---|---|---|---|---|
Operating output power | Pout | 10 | – | W | |
Range of available wavelength | λ | 805 | 808 | 811 | nm |
Spectral width @ FWHM | Δλ | 3.5 | – | nm | |
Threshold current | Ith | – | 0.2 | 0.5 | A |
Operating current at Pout | Iop | 3.5 | 4 | A |
915 nm/10 W~420 W
915 nm 10 W 0.22 NAファイバーカップル半導体レーザー
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特徴
- 高い結合効率
- Au/Sn ボンディング
- 高輝度
- RoHS 対応
用途
- ファイバーレーザーポンピング
パラメータ(抜粋)
Parameter | Symbol | Min | Typical | Max | Unit |
---|---|---|---|---|---|
Operating output power | Pout | 10 | W | ||
Range of available wavelength | λ | 905 | 915 | 925 | nm |
Spectral width @ FWHM | Δλ | 3 | nm | ||
Threshold current | Ith | – | 0.3 | – | A |
Operating current at Pout | Iop | 12 | 14.0 | A |
915 nm 20 W 半導体レーザー (0.22 NA 105 μm ファイバーカップル)
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特徴
- 915 nm シングル・エミッテング・レーザー
- 高輝度
- 20 W 出力
- RoHS 対応
- 105/125 μm 0.22 NAファイバー
用途
- 医療分野
- 物質加工
パラメータ(抜粋)
Parameter | Symbol | Min | Typical | Max | Unit |
---|---|---|---|---|---|
Operating output power | Pout | 20 | – | – | W |
Range of available wavelength | λ | 905 | 915 | 925 | nm |
Spectral width @ FWHM | Δλ | 3.5 | 7 | nm | |
Threshold current | Ith | – | 0.5 | 0.9 | A |
Operating current at Pout | Iop | 12 | 13 | A |
915 nm 30 W 半導体レーザー(105 µm 固定 ファイバー ピッグテールカップル
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特徴
- 915 nm シングル・エミッテング・レーザー
- 高輝度
- 30 W 出力
- RoHS 対応
- 105/125 μm 0.22 NAファイバー
用途
- 医療分野
- 物質加工
パラメータ(抜粋)
Parameter | Symbol | Min | Typical | Max | Unit |
---|---|---|---|---|---|
Operating output power | Pout | 30 | – | – | W |
Range of available wavelength | λ | 905 | 915 | 925 | nm |
Spectral width @ FWHM | Δλ | 3.5 | 7 | nm | |
Threshold current | Ith | – | 0.5 | 0.9 | A |
Operating current at Pout | Iop | 12 | 13 | A |
940 nm/10 W~420 W
940 nm 11 W 半導体レーザー
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特徴
- 高カップリング効率
- Au/Sn ボンディング
- 高輝度
- RoHS 対応
用途
- ファバーレーザーポンピング
パラメータ(抜粋)
Parameter | Symbol | Min | Typical | Max | Unit |
---|---|---|---|---|---|
Operating output power | Pout | 11 | W | ||
Range of available wavelength | λ | 930 | 940 | 950 | nm |
Spectral width @ FWHM | Δλ | 6 | nm | ||
Threshold current | Ith | – | 1 | – | A |
Operating current at Pout | Iop | 13 | 14.0 | A |
940 nm 20 W マルチモードファイバー半導体レーザー(0.15 NA 105 μm)
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特徴
- 940 nm シングル・エミッテング・レーザー
- 高輝度
- 20 W 出力
- RoHS 対応
- 105/125 μm 0.15 NAファイバー
用途
- 医療分野
- ポンプソース
- 物質加工
パラメータ(抜粋)
Parameter | Symbol | Min | Typical | Max | Unit |
---|---|---|---|---|---|
Operating output power | Pout | 20 | – | – | W |
Range of available wavelength | λ | 930 | 940 | 950 | nm |
Spectral width @ FWHM | Δλ | 3.5 | 7 | nm | |
Threshold current | Ith | – | 0.5 | 0.9 | A |
Operating current at Pout | Iop | 12 | 13 | A |
940 nm 赤外線 IR 30W 半導体レーザー(0.22 NA 105 μm ファイバー)
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特徴
- 940 nm シングル・エミッテング・レーザー
- 高輝度
- 30 W 出力
- RoHS 対応
- 105/125 μm 0.22 NAファイバー
用途
- 医療分野
- ポンプソース
- 物質加工
パラメータ(抜粋)
Parameter | Symbol | Min | Typical | Max | Unit |
---|---|---|---|---|---|
Operating output power | Pout | 30 | – | – | W |
Range of available wavelength | λ | 930 | 940 | 950 | nm |
Spectral width @ FWHM | Δλ | 3.5 | 7 | nm | |
Threshold current | Ith | – | 0.5 | 0.9 | A |
Operating current at Pout | Iop | 12 | 13 | A |
975 nm/10 W~420 W
975 nm 10 W 半導体レーザー(105 μm 0.15 NA マルチモードファイバー付き)
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- 975 nm シングル・エミッテング・レーザー
- 高輝度
- 10 W 出力
- RoHS 対応
- 105/125 μm 0.15 NAファイバー
用途
- 医療分野
- ポンプソース
- 物質加工
パラメータ(抜粋)
Parameter | Symbol | Min | Typical | Max | Unit |
---|---|---|---|---|---|
Operating output power | Pout | 10 | – | – | W |
Range of available wavelength | λ | 965 | 975 | 985 | nm |
Spectral width @ FWHM | Δλ | 3.5 | 7 | nm | |
Threshold current | Ith | – | 0.55 | 0.9 | A |
Operating current at Pout | Iop | 11.7 | 12.5 | A |
975 nm 50 W マルチエミッター半導体レーザー(105 μm 0.22 NAファイバー)
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特徴
- 50 W 出力
- 高輝度
- 105/125 μm 0.22 NAファイバー
- RoHS 対応
用途
- 医療分野
- ポンプソース
- 物質加工
パラメータ(抜粋)
Parameter | Symbol | Min | Typical | Max | Unit |
---|---|---|---|---|---|
Operating output power | Pout | – | 50 | – | W |
Range of available wavelength | λ | 965 | 975 | 985 | nm |
Spectral width @ FWHM | Δλ | 4 | 7 | nm | |
Threshold current | Ith | – | 0.5 | 0.9 | A |
Operating current at Pout | Iop | 11.5 | 12.5 | A |
1310 nm
1310 nm 15 mW SLED レーザー
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特徴
- 高出力
- 35 nm以上の3 dB帯域幅
- 14ピンバタフライパッケージ
- 動作温度-45〜+70℃
- SMファイバーまたはPMファイバーのピグテール
用途
- 光ファイバー通信システム
- 光ファイバージャイロスコープ
- 光ファイバーセンサー
- 光学検査機器
- 光コヒーレンス・トモグラフィー
- バイオメディカル・イメージング・システム
パラメータ(抜粋)
Parameter | Symbol | Min. | Max. | Unit |
---|---|---|---|---|
Storage temperature | Ts | -55 | +85 | ℃ |
Operating case temperature | Top | -45 | +70 | ℃ |
Reverse Voltage | Vcc | 2.0 | V | |
Forward current | IF | 300 | mA | |
Thermoelectric cooler voltage | V | 3.2 | V | |
Thermoelectric cooler current | I | 1.2 | A | |
Storage humidity | 5 | 85 | %RH | |
Lead solder temperature | 260 | ℃ | ||
Lead solder time | 10 | S | ||
Tensile strength of pigtail | 1 | kgf | ||
Fiber bend radius | 30 | mm |
製品の販売実績
アカデミック
- 宇宙航空研究開発機構
- 学習院大学
- 岐阜工業高等専門学校
- 光産業創成大学院大学
- 千葉工業大学
- 電気通信大学
- 東京大学
- 防衛大学
- 北海道大学
- 名古屋大学
- 理化学研究所
企業
- 量子通信装置メーカー
- 気象情報会社
- 産業機械メーカー
- 計測機器専門商社
- 電機メーカー
- レーザ機器メーカー
- 理化学器械 専門商社
- 加速度計測機器メーカー
- 計測機器 専門商社
- 電機メーカー