Hangzhou BrandNew Technology Co.,Ltd.について

 当会社は2011年に設立され、レーザーチップ、ファイバー結合レーザーダイオード、シングルバー、高出力ダイオードレーザーアレイなど、幅広い波長と
高出力ダイオードレーザー、レーザーシステムを製造しています。

ダイオードレーザーチップ製品

22 W 945 nm Laser Diode Bare Chip

仕様(一部を抜粋)
項目 数値(Typ)
中心波長 945 nm
出力 22 W
スペクトラム幅 4 nm
エミッタ幅 190 μm
キャビティ幅 500 μm
キャビティ厚み 130 μm
偏光モード TE
用途
  • 医療分野
  • DPSSポンプソース
  • LiDAR

500 mW 976 nm Single Mode Laser Chip

仕様(一部を抜粋)
項目 数値
中央波長 976 nm
出力 500 mW
動作モード CW
スペクトル幅 FWHM 5 nm
エミッター幅 3 μm
キャビティ幅 500 μm
キャビティ長 4000 μm
キャビティ厚さ 150 μm
用途
  • 主要部品(レーザーポンピング、レーザー加工、先端加工製品等)

ファイバーカップル製品

1392.5 nm Single Frequency Laser Diode

仕様(一部を抜粋)

 

項目 数値
中央波長 1392.5 nm
出力 10 mW
ファイバーコア 105 μm
ファイバー長さ 1m
ファイバーコネクター FC/APC
動作電流 120 mA
動作電圧 2 V
PD <1000 uA
TEC 電流/電圧 0.1 A/0.2 V
特徴/用途
  • H2O TDLAS検出用に設計
  • DFBレーザー/単一周波数/単一モード
  • 温度、電流によるチューニングが可能
  • シングルモードファイバ、FC/APCコネクタ

1512.2 nm Butterfly Laser Diode For NH3 TDLAS Detection

仕様(一部を抜粋)
項目 数値
中央波長 1512.2 nm
出力 10 mW
ファイバーコア 105 μm
ファイバー長さ 1m
ファイバーコネクター FC/APC
動作電流 120 mA
動作電圧 2 V
PD <1000 uA
TEC 電流/電圧 0.1 A/0.2 V
特徴/用途
  • NH3 TDLAS検出用に設計
  • DFBレーザー/単一周波数/単一モード
  • 温度、電流によるチューニング可能
  • シングルモードファイバ、FC/APCコネクタ (PMFも対応可能)

シングルエミッター製品

1273 nm DFB TO39 Laser Diode

仕様(一部を抜粋)
項目 数値
中央波長 1273 nm
出力 10 mW
動作電流 120 mA
動作電圧 2 V
PD <1000 uA
TEC 電流/電圧 0.1 A/0.2 V
用途
  • HF検知

10 mW 1653.7 nm TO-39 LD For Gas Sensing

仕様(一部を抜粋)
項目 数値
中央波長 1653.7 nm
出力 10 mW
動作電流 120 mA
動作電圧 2 V
PD <1000 uA
TEC 電流/電圧 0.1 A/0.2 V
動作温度 15~45℃
保管温度 -40-+85℃
特徴/用途
  • メタンTDLAS検出用の設計
  • DFBレーザー/単一周波数/単一モード
  • 温度または電流でチューニング可能
  • TECとサーミスタを内蔵したTO-39パッケージ