Crystal Systems (旧 GT Advanced Technologies)社について
シリコン、サファイア分野の結晶成長技術に強みを持ち、各種結晶製品を開発・製造しています(本社/米国ニューハンプシャー州)。
当社はCrystal Systemsの代理店です。
HEM Ti:サファイア
特徴
- 280 mm(直径)
- 優れた均質性
- 優れた熱特性
- 高いレーザー損傷しきい値
用途
- 放射線療法
- 陽子線治療
- 材料特性化(評価・解析)
技術データ
ブルースターカットHEM Ti:サファイア(増幅器及び超短パルスレーザー用) | |
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項目 | 数値 |
Grade | Highly Uniform crystalline HEM Grown Ti: Sapphire crystals |
Polish Type | Laser Polish (10-5 or better Brewster’s angle Ends) |
Sapphire Purity | – |
Orientation | 90° |
Flatness | L/10 flatness @632nm |
Outside Diameter Surface | Fine Ground |
TWE | L/4 P-V @632nm to minimize spatial variation and maximize beam quality |