Crystal Systems (旧 GT Advanced Technologies)社について
シリコン、サファイア分野の結晶成長技術に強みを持ち、各種結晶製品を開発・製造しています(本社／米国ニューハンプシャー州）。
当社はCrystal Systemsの代理店です。
HEM Ti:サファイア
特徴
- 280 mm（直径）
- 優れた均質性
- 優れた熱特性
- 高いレーザー損傷しきい値
用途
- 放射線療法
- 陽子線治療
- 材料特性化（評価・解析）
技術データ
| ブルースターカットHEM Ti:サファイア(増幅器及び超短パルスレーザー用) | |
|---|---|
| 項目 | 数値 |
| Grade | Highly Uniform crystalline HEM Grown Ti: Sapphire crystals |
| Polish Type | Laser Polish (10-5 or better Brewster’s angle Ends) |
| Sapphire Purity | – |
| Orientation | 90° |
| Flatness | L/10 flatness @632 nm |
| Outside Diameter Surface | Fine Ground |
| TWE | L/4 P-V @632 nm to minimize spatial variation and maximize beam quality |