LD-PD INCについて
不可視光チップから可視光半導体ダイオードのパッケージングや、ダイオードからモジュール、そして最終的には様々なアプリケーションシステムに統合され、LD-PDは半導体の使命と価値を実現するシンガポールのメーカーです。
製品ラインナップ
レーザーダイオード
ディテクタ
チップ
レーザーダイオード
1550nm高出力DFBレーザーダイオード（低電流波長可変 同調係数）
型番：PL-DFB-1550-500-60-A81-PA-NL
PL-DFB-1550-C-A81 1550nm 超高出力・狭線幅 DFBレーザーダイオードモジュールは、60mwまでの出力ファイバー、高コヒーレントなレーザー光源で費用対効果に優れています。このDFBレーザーダイオードチップは、TECとPDを内蔵し、業界標準のハーメチックシールにより密閉された14ピンのバタフライにパッケージされています。
電気/光学特性（Tsub=25°C、特に断りのない限りCWバイアス）
| Parameter | Symbol | Min | Typ | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|---|
| 中心波長 | λ | 1549.5 | 1550 | 1550.5 | nm |
| サイドモード抑制比 | SMSR | 30 | 40 | dB | |
| スレッショルド電流 | Ith | 20 | 30 | mA | |
| 動作電流 | Iop | 280 | 300 | mA | |
| チップ出力電力 | Pf | 50 | 60 | 100 | mW |
| 量子効率 | η | 0.08 | 0.12 | mW/mA | |
| 電流調整係数 | ∆λ/∆I | 0.005 | nm/mA | ||
| 温度調整係数 | ∆λ/∆T | 0.12 | nm/K | ||
| 順電圧 | Vf | 1.3 | 2 | V | |
| サーミスタ抵抗 | RT | 9.5 | 10 | 10.5 | KΩ |
| サーミスタ温度 温度係数 | -4.4 | %/°C | |||
| コネクタ | FC/APC | ||||
1064nm DFB PMレーザーダイオード
型番：PL-DFB-1064-A-A82-PA-R
PL-DFB-1064-A1-R 1064nm DFBレーザーダイオードモジュールは、コストパフォーマンスに優れた、高コヒーレントレーザー光源です。ダイオードは0-30℃で優れた性能を発揮します。このDFBレーザーダイオードチップは、TECとPDを内蔵し、業界標準のハーメチックシールにより密閉された14ピンのバタフライにパッケージされています。
電気/光学特性（Tsub=25°C、特に断りのない限りCWバイアス）
| Parameter | Symbol | Min | Typ | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|---|
| 中心波長 | λ | 1062.5 | 1064 | 1066.5 | nm |
| サイドモード抑制比 | SMSR | 30 | 40 | dB | |
| スレッショルド電流 | Ith | 20 | 30 | mA | |
| 動作電流 | Iop | 180 | 250 | mA | |
| チップ出力電力 | Pf | 50 | 70 | 90 | mW |
| 量子効率 | η | 0.08 | 0.12 | mW/mA | |
| 電流調整係数 | ∆λ/∆I | 0.015 | nm/mA | ||
| 温度調整係数 | ∆λ/∆T | 0.12 | nm/K | ||
| 順電圧 | Vf | 1.3 | 2 | V | |
| サーミスタ抵抗 | RT | 9.5 | 10 | 10.5 | KΩ |
| サーミスタ温度 温度係数 | -4.4 | %/°C | |||
| コネクタ | FC/APC | ||||
注）使用温度10～30℃において、本製品が保証できる性能です。
980nm DFB PMレーザーダイオード
型番：PL-DFB-980-B-A81-PA
LD-PD社製PL-DFB-980-B-A81 980nm DFBレーザーダイオードモジュールは、コストパフォーマンスに優れた高コヒーレントレーザー光源です。
このDFBレーザーダイオードチップは、TECとPDを内蔵し、業界標準のハーメチックシールにより密閉された14ピンのバタフライにパッケージされています。
電気的/光学的特性(Tsub=25°C、特に断りのない限りCWバイアス)
| Parameter | Symbol | Min | Typ | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|---|
| 中心波長 | λ | 979 | 980 | 981 | nm |
| サイドモード抑制比 | SMSR | 30 | 40 | dB | |
| スレッショルド電流 | Ith | 20 | 30 | mA | |
| 動作電流 | Iop | 120 | 150 | mA | |
| チップ出力電力 | Pf | 40 | 50 | 60 | mW |
| 量子効率 | η | 0.08 | 0.12 | mW/mA | |
| 電流調整係数 | ∆λ/∆I | 0.015 | nm/mA | ||
| 温度調整係数 | ∆λ/∆T | 0.12 | nm/K | ||
| 順電圧 | Vf | 1.3 | 2 | V | |
| サーミスタ抵抗 | RT | 9.5 | 10 | 10.5 | KΩ |
| サーミスタ温度 温度係数 | -4.4 | %/°C | |||
| コネクタ | FC/APC | ||||
ディテクタ
1.5mm InGaAsクワドラントPINディテクタ
型番：PL-1700-IG-QD1.5-TO
PL-IG-1700-QD1.5-TO InGaAs四分円PINディテクタ、赤外計測およびセンシングアプリケーション用の高感度フォトダイオード。800nmから1700nmの領域で高い分光感度特性を示します。受光面積は直径4×1.5mm。平面パッシベーション構造。
電気的/光学的特性(Tsub=25°C、特に断りのない限りCWバイアス)
| Parameters | Sym. | Test conditions | Min | Typ | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 応答スペクトル | λ | VR=5V | 850~1700 | nm | ||
| 有効径 | φ | – | 4×1.5 | mm | ||
| 素子ギャップ | d | 30 | um | |||
| 反射率 | Re | λ=0.9µm,VR=5V,φe =1µw | 0.3 | A/W | ||
| λ=1.55µm,VR=5V,φe =10µw | 0.9 | |||||
| 逆方向降伏電圧 | VBR | I R =10µA | 30 | V | ||
| 暗電流 | ID | V R =5V | 0.5 | nA | ||
| 全キャパシタンス | C | V R =5V | 1.5 | nF | ||
| クロストーク | SL | V R =5V | 2 | % | ||
| 最大リニアパワー | Φs | VR =5V, λ=1.55μm | 10 | – | – | mW |
| -3dB帯域幅 | BW | VR=5V,λ=1.55μm，RL=50Ω | 100 | – | – | MHZ |
1.6GHzデュアルポート低ノイズフォトディテクタ
型番：PD-1.6G-2-A
デュアルポート高速低ノイズ光検出モジュールは、2つの独立した超低ノイズアナログピン検出器、低ノイズ広帯域トランスインピーダンスアンプ、超低ノイズ電源を集積しています。高ゲイン、高感度、高帯域幅、低ノイズ、高コモンモード除去比を特徴としています。信号のコモンモードノイズを効果的に低減し、システムのS/N比を向上させることができます。
| 型番 | PD-1.6G-2-A | Unit |
|---|---|---|
| 検出器タイプ | InGaAs | – |
| 波長 | 800~1700 | nm |
| 帯域幅 | 1.6G | Hz |
| 検出器応答性 | 0.95@1550nm | A/W |
| トランスインピーダンス利得 | 30K | V/A |
| 飽和入力光パワー | 150 | uW |
| NEP | 9 | pW/Sqrt(Hz) |
| 出力インピーダンス | 50 | Ω |
| 出力カップリングモード | AC | |
| 電源電圧 | 12 | V |
| 電源電流 | 0.5(max) | A |
| OPT IN | FC/APC | |
| RF出力 | SMA | |
| 寸法 | 80*80*25 | mm |
800-1700nm InGaAsアンプフォトディテクタ
型番：PDAM20A6B4G-InGaAs
PDA-M-20A6B4G-INGaAS光検出器は、光信号を検出するために使用される定格帯域幅、固定利得光検出器です。光信号は光電センサー表面から入力され、出力はBNCを通して電圧の形で得られます。 本製品は800nmから1700nmの波長範囲の光信号を測定することができます
| 型番 | PDA-M-005B-Si | PDA-M-36A5B6G-SI | PDA-M-20A6B4G-InGaAs |
|---|---|---|---|
| 電気的特性 | |||
| 入力電圧 | ±9VDC, 60mA | ±9VDG, 100mA | ±9VDC, 100mA |
| プローブ | Silicon PIN | Silicon PIN | InGaAs PIN |
| 受光面 | 2.65mm * 2.65mm | 3.6mm * 3.6mm | Diameters@2 mm |
| 波長 | 400 nm – 1100 nm | 320 nm – 1100 nm | 800 nm – 1700 nm (Optional Extended 2600nm) |
| ピーク応答 | 0.62A/W @850nm | 0.6 A/W @960nm | 0.9 A/W@1550nm |
| 43.6mV/uW @850nm | 1 mV/nW @960nm | 9mV/uW@1550nm | |
| 飽和光パワー | 113pW@ 850nm (Hi-Z) | 6uW @960nm (Hi-Z) | 660 uW@1550nm (Hi-Z) |
| 帯域幅 | DC – 5MHz | DC – 200kHz | DC – 5MHz |
| NEP | 7.2 pW/4HZ1/2 | 2.2 pW/HZ1/2 | 64.5 pW/HZ1/2 |
| 出力ノイズ（RMS） | 700 uV | 1 mV. typ | 1.3 mV. typ |
| 暗電流バイアス（最大） | ±5 mV | ±1 mV | ±5 mV |
| 立ち上がり/立ち下がりエッジ (10%-90%) | 65 ns | 1.7 us | 68ns |
| 出力電圧 | 0 – SV (Hi-Z) | 0 – 6V (Hi-Z) | 0 – 6V (Hi-Z) |
| 0 – 2.5V (50ohm) | 0 – 25V (50ohm) | 0 – 25V (50ohm) | |
| ゲイン・マルチプル | 67.5 kV/A | 1.68 MV/A | 10 kV/A |
| 33.8 kV/A | 0.84 MV/A | 5kV/A | |
| ゲイン (typ) | ±1% | ±1% | ±1% |
| その他のパラメータ | |||
| Toggle switch | Toggle switch | Toggle switch | |
| 出力インターフェース | BNC | BNC | BNC |
| 測定 | 53*50*50mm | 53*50*50mm | 53*50*50mm |
| 重量 | 150g | 150g | 150g |
| 動作温度 | 10-50deg | 10-50deg | 10-50deg |
| 保存温度 | -25℃- 70℃ | -25℃- 70℃ | -25℃- 70℃ |
チップ
1590nm 低DOP SLDチップ
型番：SLD-CHIPS-A-A82-W1590
SLD-CHIPS-A-A82-W1590シリーズは、本来のスーパールミネッセンスモードで動作する広帯域SLEDです。この1590nmスーパールミネッセンスチップ・オン・サブマウントのスーパールミネッセンス特性は、高駆動電流でより広帯域を発生します。コヒーレンスが低いため、レイリー後方散乱ノイズが減少する。高出力と大きなスペクトル幅と相まって、受光ノイズを相殺し、空間分解能（OCTの場合）と測定感度（センサーの場合）を向上させます。SLEDはチップ・オン・サブマウント・パッケージで提供されます。BellcoreドキュメントGR-468-COREの要件に準拠しています。
| Parameter | Symbol | Min | Typ | Max | Unit | Test Conditions |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 中心波長 | Ac | 1575 | 1590 | 1605 | nm | 100 mA |
| 動作電流 | Iop | – | 100 | mA | 100 mA | |
| 光出力 | Pf | 2 | mW | 100 mA | ||
| スペクトル幅 | Δλ | 35 | nm | 100 mA | ||
| スペクトルパワー変動（リップル） | R | – | 0.1 | 0.2 | dB | 100 mA |
| 偏波依存出力（TE/TM） | – | 13 | – | – | dB | 100 mA |