レーザーダイオード

1550nm高出力DFBレーザーダイオード(低電流波長可変 同調係数)

1550nm high power DFB Laser diode

型番:PL-DFB-1550-500-60-A81-PA-NL

PL-DFB-1550-C-A81 1550nm 超高出力・狭線幅 DFBレーザーダイオードモジュールは、60mwまでの出力ファイバー、高コヒーレントなレーザー光源で費用対効果に優れています。このDFBレーザーダイオードチップは、TECとPDを内蔵し、業界標準のハーメチックシールにより密閉された14ピンのバタフライにパッケージされています。

電気/光学特性(Tsub=25°C、特に断りのない限りCWバイアス)
Parameter Symbol Min Typ Max Unit
中心波長 λ 1549.5 1550 1550.5 nm
サイドモード抑制比 SMSR 30 40 dB
スレッショルド電流 Ith 20 30 mA
動作電流 Iop 280 300 mA
チップ出力電力 Pf 50 60 100 mW
量子効率 η 0.08 0.12 mW/mA
電流調整係数 ∆λ/∆I 0.005 nm/mA
温度調整係数 ∆λ/∆T 0.12 nm/K
順電圧 Vf 1.3 2 V
サーミスタ抵抗 RT 9.5 10 10.5
サーミスタ温度 温度係数 -4.4 %/°C
コネクタ FC/APC

1064nm DFB PMレーザーダイオード

1064nm DFB PM Laser diode

型番:PL-DFB-1064-A-A82-PA-R

PL-DFB-1064-A1-R 1064nm DFBレーザーダイオードモジュールは、コストパフォーマンスに優れた、高コヒーレントレーザー光源です。ダイオードは0-30℃で優れた性能を発揮します。このDFBレーザーダイオードチップは、TECとPDを内蔵し、業界標準のハーメチックシールにより密閉された14ピンのバタフライにパッケージされています。

電気/光学特性(Tsub=25°C、特に断りのない限りCWバイアス)
Parameter Symbol Min Typ Max Unit
中心波長 λ 1062.5 1064 1066.5 nm
サイドモード抑制比 SMSR 30 40 dB
スレッショルド電流 Ith 20 30 mA
動作電流 Iop 180 250 mA
チップ出力電力 Pf 50 70 90 mW
量子効率 η 0.08 0.12 mW/mA
電流調整係数 ∆λ/∆I 0.015 nm/mA
温度調整係数 ∆λ/∆T 0.12 nm/K
順電圧 Vf 1.3 2 V
サーミスタ抵抗 RT 9.5 10 10.5
サーミスタ温度 温度係数 -4.4 %/°C
コネクタ FC/APC

注)使用温度10~30℃において、本製品が保証できる性能です。

980nm DFB PMレーザーダイオード

980nm DFB PM Laser diode

型番:PL-DFB-980-B-A81-PA

LD-PD社製PL-DFB-980-B-A81 980nm DFBレーザーダイオードモジュールは、コストパフォーマンスに優れた高コヒーレントレーザー光源です。
このDFBレーザーダイオードチップは、TECとPDを内蔵し、業界標準のハーメチックシールにより密閉された14ピンのバタフライにパッケージされています。

電気的/光学的特性(Tsub=25°C、特に断りのない限りCWバイアス)
Parameter Symbol Min Typ Max Unit
中心波長 λ 979 980 981 nm
サイドモード抑制比 SMSR 30 40 dB
スレッショルド電流 Ith 20 30 mA
動作電流 Iop 120 150 mA
チップ出力電力 Pf 40 50 60 mW
量子効率 η 0.08 0.12 mW/mA
電流調整係数 ∆λ/∆I 0.015 nm/mA
温度調整係数 ∆λ/∆T 0.12 nm/K
順電圧 Vf 1.3 2 V
サーミスタ抵抗 RT 9.5 10 10.5
サーミスタ温度 温度係数 -4.4 %/°C
コネクタ FC/APC