DFBラインナップ

DFBの波長 レーザーダイオード技術 光出力 Pcw(mW)* 線幅 (MHz)
760-830 nm DFB laser diodes 5 <3
830-920 nm DFB laser diodes 10 <3
920-1100 nm DFB laser diodes 20 <3
1100-1300 nm DFB laser diodes 20 <3
1300-1650 nm DFB laser diodes 5 <3
1650-1850 nm DFB laser diodes 5 <3
1850-2200 nm DFB laser diodes 3 <3
2200-2600 nm DFB laser diodes 3 <3
2600-2900 nm DFB laser diodes 2 <3
2800-4000 nm DFB Interband Cascade Lasers 10 <3
4000-4600 nm DFB Interband Cascade Lasers 5 <3
4600-5300 nm DFB Interband Cascade Lasers 3 <3
5300-5800 nm DFB Interband Cascade Lasers(特注品・要問合せ) 1 <3
5800-6500 nm DFB Interband Cascade Lasers 1 <3
6000-14000 nm DFB Quantum Cascade Lasers 3 –
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専用ダイヤル
TEL：070-6925-5558

分散フィードバックレーザーダイオード

分布帰還型レーザー Distributed Feedback Lasers
: 760 nm – 830 nm

主な機能

  • モノモード
  • 連続波
  • 室温
  • 調整可能
  • カスタム波長

技術資料PDF

技術データ

パラメータ parameters (T = 25 °C) シンボル symbol ユニット unit 最小 minimum typical 最大 maximum
動作波長 operating wavelength (at Top, Iop) λop nm 0.1 nm
光出力 optical output power (at λop) Pop mW 5
動作電流 operating current Iop mA 30
動作電圧 operating voltage Vop V 3
閾値電流 threshold current Ith mA 5 15 30
サイドモード抑制比 side mode suppression ratio SMSR dB > 35
現在のチューニング係数 current tuning coefficient CI nm / mA 0.01 0.02 0.025
温度調整係数 temperature tuning coefficient CT nm / K 0.04 0.05 0.07
動作チップ温度 operating chip temperature Top °C 20 25 50
動作ケース温度 operating case temperature* TC °C -20 25 50
保管温度 storage temperature* TS °C -40 20 80

* 結露しないこと

分布帰還型レーザー Distributed Feedback Lasers
: 830 nm – 920 nm

主な機能

  • モノモード
  • 連続波
  • 室温
  • 調整可能
  • カスタム波長

技術資料PDF

技術データ

パラメータ parameters (T = 25 °C) シンボル symbol ユニット unit 最小 minimum typical 最大 maximum
動作波長 operating wavelength (at Top, Iop) λop nm 0.1 nm
光出力 optical output power (at λop) Pop mW 10
動作電流 operating current Iop mA 30
動作電圧 operating voltage Vop V 3
閾値電流 threshold current Ith mA 15 20 30
サイドモード抑制比 side mode suppression ratio SMSR dB > 35
現在のチューニング係数 current tuning coefficient CI nm / mA 0.004 0.007 0.015
温度調整係数 temperature tuning coefficient CT nm / K 0.05 0.07 0.15
動作チップ温度 operating chip temperature Top °C 20 25 50
動作ケース温度 operating case temperature* TC °C -20 25 50
保管温度 storage temperature* TS °C -40 20 80

* 結露しないこと

分布帰還型レーザー Distributed Feedback Lasers
: 920 nm – 1100 nm

主な機能

  • モノモード
  • 連続波
  • 室温
  • 調整可能
  • カスタム波長

技術資料PDF

技術データ

パラメータ parameters (T = 25 °C) シンボル symbol ユニット unit 最小 minimum typical 最大 maximum
動作波長 operating wavelength (at Top, Iop) λop nm 0.1 nm
光出力 optical output power (at λop) Pop mW 20
動作電流 operating current Iop mA 50
動作電圧 operating voltage Vop V 3
閾値電流 threshold current Ith mA 15 20 25
サイドモード抑制比 side mode suppression ratio SMSR dB > 35
現在のチューニング係数 current tuning coefficient CI nm / mA 0.01 0.02 0.025
温度調整係数 temperature tuning coefficient CT nm / K 0.07 0.08 0.09
動作チップ温度 operating chip temperature Top °C 20 25 50
動作ケース温度 operating case temperature* TC °C -20 25 50
保管温度 storage temperature* TS °C -40 20 80

* 結露しないこと

分布帰還型レーザー Distributed Feedback Lasers
: 1100 nm – 1300 nm

主な機能

  • モノモード
  • 連続波
  • 室温
  • 調整可能
  • カスタム波長

技術資料PDF

技術データ

パラメータ parameters (T = 25 °C) シンボル symbol ユニット unit 最小 minimum typical 最大 maximum
動作波長 operating wavelength (at Top, Iop) λop nm 0.1 nm
光出力 optical output power (at λop) Pop mW 20
動作電流 operating current Iop mA 70
動作電圧 operating voltage Vop V 2
閾値電流 threshold current Ith mA 12 15 25
サイドモード抑制比 side mode suppression ratio SMSR dB > 35
現在のチューニング係数 current tuning coefficient CI nm / mA 0.007 0.01 0.02
温度調整係数 temperature tuning coefficient CT nm / K 0.07 0.09 0.1
動作チップ温度 operating chip temperature Top °C 20 25 50
動作ケース温度 operating case temperature* TC °C -20 25 50
保管温度 storage temperature* TS °C -40 20 80

* 結露しないこと

分布帰還型レーザー Distributed Feedback Lasers
: 1300 nm – 1650 nm

主な機能

  • モノモード
  • 連続波
  • 室温
  • 調整可能
  • カスタム波長

技術資料PDF

技術データ

パラメータ parameters (T = 25 °C) シンボル symbol ユニット unit 最小 minimum typical 最大 maximum
動作波長 operating wavelength (at Top, Iop) λop nm 0.1 nm
光出力 optical output power (at λop) Pop mW 5
動作電流 operating current Iop mA 70
動作電圧 operating voltage Vop V 2
閾値電流 threshold current Ith mA 10 30 55
サイドモード抑制比 side mode suppression ratio SMSR dB > 35
現在のチューニング係数 current tuning coefficient CI nm / mA 0.01 0.02 0.03
温度調整係数 temperature tuning coefficient CT nm / K 0.07 0.1 0.14
動作チップ温度 operating chip temperature Top °C 20 25 50
動作ケース温度 operating case temperature* TC °C -20 25 50
保管温度 storage temperature* TS °C -40 20 80

* 結露しないこと

分布帰還型レーザー Distributed Feedback Lasers
: 1650 nm – 1850 nm

主な機能

  • モノモード
  • 連続波
  • 室温
  • 調整可能
  • カスタム波長

技術資料PDF

技術データ

パラメータ parameters (T = 25 °C) シンボル symbol ユニット unit 最小 minimum typical 最大 maximum
動作波長 operating wavelength (at Top, Iop) λop nm 0.1 nm
光出力 optical output power (at λop) Pop mW 5
動作電流 operating current Iop mA 70
動作電圧 operating voltage Vop V 2
閾値電流 threshold current Ith mA 10 35 65
サイドモード抑制比 side mode suppression ratio SMSR dB > 35
現在のチューニング係数 current tuning coefficient CI nm / mA 0.008 0.02 0.03
温度調整係数 temperature tuning coefficient CT nm / K 0.07 0.1 0.14
動作チップ温度 operating chip temperature Top °C 20 25 50
動作ケース温度 operating case temperature* TC °C -20 25 50
保管温度 storage temperature* TS °C -40 20 80

* 結露しないこと

分布帰還型レーザー Distributed Feedback Lasers
: 1850 nm – 2200 nm

主な機能

  • モノモード
  • 連続波
  • 室温
  • 調整可能
  • カスタム波長

技術資料PDF

技術データ

パラメータ parameters (T = 25 °C) シンボル symbol ユニット unit 最小 minimum typical 最大 maximum
動作波長 operating wavelength (at Top, Iop) λop nm 0.1 nm
光出力 optical output power (at λop) Pop mW 3
動作電流 operating current Iop mA 100
動作電圧 operating voltage Vop V 2
閾値電流 threshold current Ith mA 5 25 65
サイドモード抑制比 side mode suppression ratio SMSR dB > 35
現在のチューニング係数 current tuning coefficient CI nm / mA 0.01 0.02 0.05
温度調整係数 temperature tuning coefficient CT nm / K 0.16 0.2 0.23
動作チップ温度 operating chip temperature Top °C 20 25 50
動作ケース温度 operating case temperature* TC °C -20 25 50
保管温度 storage temperature* TS °C -40 20 80

* 結露しないこと

分布帰還型レーザー Distributed Feedback Lasers
: 2200 nm – 2600 nm

主な機能

  • モノモード
  • 連続波
  • 室温
  • 調整可能
  • カスタム波長

技術資料PDF

技術データ

パラメータ parameters (T = 25 °C) シンボル symbol ユニット unit 最小 minimum typical 最大 maximum
動作波長 operating wavelength (at Top, Iop) λop nm 0.1 nm
光出力 optical output power (at λop) Pop mW 3
動作電流 operating current Iop mA 100
動作電圧 operating voltage Vop V 2.3
閾値電流 threshold current Ith mA 5 30 50
サイドモード抑制比 side mode suppression ratio SMSR dB > 35
現在のチューニング係数 current tuning coefficient CI nm / mA 0.01 0.02 0.05
温度調整係数 temperature tuning coefficient CT nm / K 0.18 0.22 0.25
動作チップ温度 operating chip temperature Top °C 20 25 50
動作ケース温度 operating case temperature* TC °C -20 25 50
保管温度 storage temperature* TS °C -40 20 80

* 結露しないこと

分布帰還型レーザー Distributed Feedback Lasers
: 2600 nm – 2900 nm

主な機能

  • モノモード
  • 連続波
  • 室温
  • 調整可能
  • カスタム波長

技術資料PDF

技術データ

パラメータ parameters (T = 25 °C) シンボル symbol ユニット unit 最小 minimum typical 最大 maximum
動作波長 operating wavelength (at Top, Iop) λop nm 0.1 nm
光出力 optical output power (at λop) Pop mW 2
動作電流 operating current Iop mA 100
動作電圧 operating voltage Vop V 2.3
閾値電流 threshold current Ith mA 30 50 80
サイドモード抑制比 side mode suppression ratio SMSR dB > 35
現在のチューニング係数 current tuning coefficient CI nm / mA 0.01 0.02 0.05
温度調整係数 temperature tuning coefficient CT nm / K 0.15 0.2 0.28
動作チップ温度 operating chip temperature Top °C 20 25 50
動作ケース温度 operating case temperature* TC °C -20 25 50
保管温度 storage temperature* TS °C -40 20 80

* 結露しないこと

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専用ダイヤル
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分散フィードバックバンド間カスケードレーザー

分布帰還型レーザー Distributed Feedback Lasers
: 2800 nm – 4000 nm

主な機能

  • モノモード
  • 連続波
  • 室温
  • 低消費電力
  • 調整可能
  • カスタム波長

技術資料PDF

技術データ

パラメータ parameters (T = 25 °C) シンボル symbol ユニット unit 最小 minimum typical 最大 maximum
動作波長 operating wavelength (at Top, Iop) λop nm 0.1 nm
光出力 optical output power (at λop) Pop mW 10
動作電流 operating current Iop mA 120
動作電圧 operating voltage Vop V 5
閾値電流 threshold current Ith mA 15 30 50
サイドモード抑制比 side mode suppression ratio SMSR dB > 35
現在のチューニング係数 current tuning coefficient CI nm / mA 0.1
温度調整係数 temperature tuning coefficient CT nm / K 0.35
動作チップ温度 operating chip temperature Top °C 10 20 50
動作ケース温度 operating case temperature* TC °C -20 25 50
保管温度 storage temperature* TS °C -30 20 70

* 結露しないこと

分布帰還型レーザー Distributed Feedback Lasers
: 4000 nm – 4600 nm

主な機能

  • モノモード
  • 連続波
  • 室温
  • 低消費電力
  • 調整可能
  • カスタム波長

技術資料PDF

技術データ

パラメータ parameters (T = 25 °C) シンボル symbol ユニット unit 最小 minimum typical 最大 maximum
動作波長 operating wavelength (at Top, Iop) λop nm 0.1 nm
光出力 optical output power (at λop) Pop mW 5
動作電流 operating current Iop mA 120
動作電圧 operating voltage Vop V 5
閾値電流 threshold current Ith mA 20 40 60
サイドモード抑制比 side mode suppression ratio SMSR dB > 35
現在のチューニング係数 current tuning coefficient CI nm / mA 0.12
温度調整係数 temperature tuning coefficient CT nm / K 0.45
動作チップ温度 operating chip temperature Top °C 10 20 50
動作ケース温度 operating case temperature* TC °C -20 25 50
保管温度 storage temperature* TS °C -30 20 70

* 結露しないこと

分布帰還型レーザー Distributed Feedback Lasers
: 4600 nm – 5300 nm

主な機能

  • モノモード
  • 連続波
  • 室温
  • 低消費電力
  • 調整可能
  • カスタム波長

技術資料PDF

技術データ

パラメータ parameters (T = 25 °C) シンボル symbol ユニット unit 最小 minimum typical 最大 maximum
動作波長 operating wavelength (at Top, Iop) λop nm 0.1 nm
光出力 optical output power (at λop) Pop mW 3
動作電流 operating current Iop mA 120
動作電圧 operating voltage Vop V 5
閾値電流 threshold current Ith mA 30 40 70
サイドモード抑制比 side mode suppression ratio SMSR dB > 35
現在のチューニング係数 current tuning coefficient CI nm / mA 0.14
温度調整係数 temperature tuning coefficient CT nm / K 0.48
動作チップ温度 operating chip temperature Top °C 10 20 50
動作ケース温度 operating case temperature* TC °C -20 25 50
保管温度 storage temperature* TS °C -30 20 70

* 結露しないこと

分布帰還型レーザー Distributed Feedback Lasers
: 5300 nm – 5800 nm

主な機能

  • モノモード
  • 連続波
  • 室温
  • 低消費電力
  • 調整可能
  • カスタム波長

技術資料PDF

技術データ

パラメータ parameters (T = 25 °C) シンボル symbol ユニット unit 最小 minimum typical 最大 maximum
動作波長 operating wavelength (at Top, Iop) λop nm 0.1 nm
光出力 optical output power (at λop) Pop mW 1
動作電流 operating current Iop mA 120
動作電圧 operating voltage Vop V 5
閾値電流 threshold current Ith mA 30 40 70
サイドモード抑制比 side mode suppression ratio SMSR dB > 35
現在のチューニング係数 current tuning coefficient CI nm / mA 0.15
温度調整係数 temperature tuning coefficient CT nm / K 0.5
動作チップ温度 operating chip temperature Top °C 5 20 50
動作ケース温度 operating case temperature* TC °C -20 25 40
保管温度 storage temperature* TS °C -30 20 70

* 結露しないこと

分布帰還型レーザー Distributed Feedback Lasers
: 5800 nm – 6500 nm

主な機能

  • モノモード
  • 連続波
  • 室温
  • 低消費電力
  • 調整可能
  • カスタム波長

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技術データ

パラメータ parameters (T = 25 °C) シンボル symbol ユニット unit 最小 minimum typical 最大 maximum
動作波長 wavelength precision δ nm 0.1
光出力 optical output power Pout mW 1
順電流 forward current If mA 120
閾値電流 threshold current lth mA 30 40 70
現在のチューニング係数 current tuning coefficient CI nm / mA 0.15
温度調整係数 temperature tuning coefficient CT nm / K 0.5
代表的な最大動作電圧 typical maximum operating voltage Vop V 5
サイドモード抑制比 side mode suppression ratio SMSR dB > 35
保管温度 storage temperature TS °C -40 20 80
動作ケース温度 operational temperature at case TC °C -20 20 45
チップ動作温度 chip operational temperature Top °C -10 5 15
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分散フィードバック量子カスケードレーザー

分布帰還型レーザー Distributed Feedback Lasers
: 6000 nm – 14000 nm

主な機能

  • モノモード
  • パルス動作
  • 室温
  • 調整可能
  • カスタム波長

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技術データ

パラメータ parameters (T = 25 °C) シンボル symbol ユニット unit 最小 minimum typical 最大 maximum
動作波長 wavelength precision δ nm 0.1
光出力 average output power Pavg mW 1 3 20
ピーク出力電力 peak output power Ppeak mW 10 100 1000
パルス動作電流 pulsed operation current If mA 1000 3600
パルス閾値電流 pulsed threshold current lth mA 500 2000
直流同調係数 direct current tuning coefficient CI nm / mA 0.05 0.2
温度調整係数 temperature tuning coefficient CT nm / K 0.45 @ 6 µm 0.5 1.1 @ 14 µm
動作電圧 operating voltage Vop V 10 15 20
ピークスロープ効率 peak slope efficiency e mW / A 200 500 800
繰り返し周波数 repetition frequency f kHz 0.001 100 2000
パルス長 pulse length t ns 2 100 3000
duty cycle d. c. % 0 3 10
サイドモード抑制比 side mode suppression ratio SMSR dB > 35
slow axis (FWHM) degrees 20 25 30
fast axis (FWHM) degrees 50 60 70
保管温度 storage temperature TS °C -40 20 80
動作ケース温度 operational temperature at case TC °C -20 25 80
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