NTTイノベーティブデバイス株式会社について
NTTイノベーティブデバイス株式会社（前NTTエレクトロニクス株式会社）は、光ファイバアクセス用部品、映像符号化チップ等のNTTグループが事業提供するサービス及びそれを支えるネットワーク基盤を具現化するキーデバイスを設計・製造しています。
ガス検知用DFBレーザーや狭腺幅（単一周波数）DFBレーザーを作製しております。
またLiDAR（ライダー）向けに各種のレーザーを提供しています。
ライダー向けレーザー
DFB レーザー
EA DFB レーザ cooled TOSA
センシング用 TO Can
NLK1C5EAAA
1530-1565nmのDFBレーザーダイオードで、バタフライ型14ピンパッケージ、熱電冷却器付きです。
特長
- 波長範囲： 1530 – 1565 nm, ITU-T grid wavelength
- ファイバ出力電力： 10mW
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Tsub=25deg.C)
| Parameter | Symbol | Ratings | Units |
|---|---|---|---|
| レーザーダイオード逆電圧 | VR | 2.0 | V |
| レーザーダイオード順方向電流 | IF | 225 | mA |
| 動作時温度 | Tcase | -5 to 70 | deg. |
| 保存温度 | Tstg | -40 to 85 | deg. |
| フォトダイオード逆電圧 | VDR | 10 | V |
| フォトダイオード順電流 | IDF | 10 | mA |
| ペルチェ電流 | IP | 1.4 | A |
ELECTRICAL/OPTICAL CHARACTERISTICS(Tsub=25deg.)
| Parameter | Symbol | Condition | Min. | Typ. | Max. | Units |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 順電圧 | VF | IF=30mA | 1.2 | 1.6 | V | |
| しきい値電流 | I(TH) | CW | 10 | 20 | mA | |
| ファイバ出力パワー | φe | CW,IF=80mA | 10 | mW | ||
| ピーク波長 | λp | CW,fe=10mW | -1 | ITU-T | +1 | nm |
| スペクトル線幅＊ | Δν | CW,fe=10mW | 2 | MHz | ||
| サイドモード抑圧比 | SMS | CW,fe=10mW | 35 | dB | ||
| 監視電流(PD) | IR(E) | CW,fe=10mW | 0.1 | mA | ||
| 暗電流(PD) | Ir(0) | CW,VDR=5V | 100 | nA | ||
| トラッキングエラー | ER | IR(E)=constant | -0.5 | +0.5 | dB | |
| 冷却能力＊ | ΔTPE | φe=10mW, Tcase=70deg | 45 | deg. | ||
| ペルチェ電流 | IPE | Tcase=-5 to 70deg. | 1 | A | ||
| ペルチェ電圧 | VPE | Tcase=-5 to 70deg. | 2 | V | ||
| サーミスター耐性＊ | R | Tsub=25deg. | 10 | kΩ | ||
| 絶縁性＊ | Is | Tsub=25deg. | 30 | dB |
ΔT=| Tcase-Tsub |
NLK1C5GAAA
1530-1565 nmのDFBレーザーダイオードで、熱電冷却器を備えたバタフライタイプの14ピンパッケージです。
ピグテールファイバはFC/PCコネクタで接続されています。
特長
- 波長範囲： 1530 – 1565 nm, ITU-T grid wavelength
- ファイバー出力パワー： 20mW
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Tsub=25deg.C)
| Parameter | Symbol | Ratings | Units |
|---|---|---|---|
| レーザーダイオード逆電圧 | VR | 2.0 | V |
| レーザーダイオード順方向電流 | IF | 225 | mA |
| 動作時温度 | Tcase | -5 to 70 | deg. |
| 保存温度 | Tstg | -40 to 85 | deg. |
| フォトダイオード逆電圧 | VDR | 10 | V |
| フォトダイオード順電流 | IDF | 10 | mA |
| ペルチェ電流 | IP | 1.4 | A |
ELECTRICAL/OPTICAL CHARACTERISTICS(Tsub=25deg.)
| Parameter | Symbol | Condition | Min. | Typ. | Max. | Units |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 順電圧 | VF | IF=30mA | 1.2 | 1.6 | V | |
| しきい値電流 | I(TH) | CW | 10 | 20 | mA | |
| ファイバ出力パワー | φe | CW,IF=130mA | 20 | mW | ||
| ピーク波長 | λp | CW,fe=20mW | -1 | ITU-T | +1 | nm |
| スペクトル線幅＊ | Δν | CW,fe=20mW | 2 | MHz | ||
| サイドモード抑圧比 | SMS | CW,fe=20mW | 35 | dB | ||
| モニター電流(PD) | IR(E) | CW,fe=20mW | 0.1 | mA | ||
| 暗電流(PD)＊ | Ir(0) | CW,VDR=5V | 100 | nA | ||
| トラッキングエラー | ER | IR(E)=constant | -0.5 | +0.5 | dB | |
| 冷却能力＊ | ΔTPE | φe=20mW, Tcase=70deg. | 45 | deg. | ||
| ペルチェ電流＊ | IPE | Tcase=-5 to 70deg. | 1 | A | ||
| ペルチェ電圧＊ | VPE | Tcase=-5 to 70deg. | 2 | V | ||
| サーミスター抵抗値＊ | R | Tsub=25deg. | 10 | kΩ | ||
| アイソレーション＊ | Is | Tsub=25deg. | 30 | dB |
ΔT=| Tcase-Tsub |
ガス検知用DFBレーザー
Telecom-band
| Wavelength Band | Wavelength | Package 14-pin Butterfly（左10mW, 右20mW） | |
|---|---|---|---|
| O-band | 1260-1360 nm | NLK1B5EAAA | NLK1B5GAAA |
| E-band | 1360-1460 nm | NLK1E5EAAA | NLK1E5GAAA |
| S-band | 1460-1530 nm | NLK1S5EAAA | NLK1S5GAAA |
| C-band | 1530-1565 nm | NLK1C5EAAA | NLK1C5GAAA |
| L-band | 1565-1625 nm | NLK1L5EAAA | NLK1L5GAAA |
| UL-band | 1625-1670 nm | NLK1U5EAAA | (NLK1U5FAAA)(15mW) |
| UL(+)-band | 1670-1690 nm | NLK1U5EAAA (1670-1690) | – |
| 1690-1705 nm | NLK1U5EAAA (1690-1705) | – | |
Longer wavelength
| Wavelength | Package | |
|---|---|---|
| TO-CAN | 14-pin Butterfly | |
| 1735-1805 nm | KELD1F5C2TA (10 mW) | KELD1F5DAAA (5 mW) |
| 1865-1890 nm 1995-2015 nm |
KELD1G5B2TA (5 mW) | KELD1G5BAAA (2 mW) |
| near 2050 nm | KELD1G5A4TA-2050 (5 mW) | KELD1G5BAAA (2050) (2 mW) |
| near 2100 nm | KELD1G5A4TA-2100 (5 mW) | KELD1G5BAAA (2100) (2 mW) |
| near 2330 nm | お問い合わせ | KELD1G5BAAH (2330) (2 mW) |
A variety of DFB-LD are available for Telecom and Spectroscopy applications:
COガスモニタリング用 2.3μmDFB
モードホップフリーの単一モード発振で動作します。2mWのファイバ出力が得られます。
技術データ
特長及び用途他
- 2.33μm
- 高SMSR (>30 dB)
- アイソレータ内蔵バタフライPKG
- ファイバ出力
- CO 一酸化炭素ガスモニタリング
- TDLAS、WMSに適用可能
低水分濃度計測用1392nmDFB
モジュール型製品で、従来型PKGで問題となっていたサファイア窓と光ファイバ結合部の空間をなくすことで、
外気の影響を受けず極微量の水分濃度を再現性良く計測できます。
技術データ
特長及び用途
- 波長1392.5nm (H2O計測)
- ファイバ内挿型パッケージ
- 14ピンバタフライPKG
- TDLAS、WMS計測に適用可能
- 微量水分計測に最適
LiDAR用PLC
特徴
- 低損失・高出力→長距離検出・高解像度、FMCW方式にも利用可能
- 小型・軽量→自律走行車、小型ロボット、ドロ－ン等に搭載可能
- 量産→ウェハ－製造よる量産化、短納期、低コスト化を実現
- 高品質・高信頼性→テレコム関係で40年以上の実績
- カスタマイズ→開発から量産までサポート、光通信波長（1200nm～1700nm）で対応可能
UTC-PDフォトミキサモジュール
フォトミキシングをベースにしたTHz波発生は、光変調信号を直接THz信号に変換したり、ASEライクなTHz波を発生できるなど優れた特徴を持っています。単一走行キャリア（UTC)構造が持つ高速応答性と高光入力領域での線形性の良さから、UTCフォトミキサでは非常に広い帯域と高い出力のTHz波発生に大変有効なデバイスです。
- 高効率CW・THz波発生
- 矩形導波管出力UTCフォトミキサモジュール
W-, F-, D-, J-バンドフォトミキサ4種類で75～380GHzをカバー - アンテナ集積UTCフォトミキサ(準光学タイプ)
250～3000GHz以上をカバー
| Type(※) | Model | Frequency | Output Power | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Min | Center | Max | Unit | Min | Typ | Unit | ||
| W | IOD-PMW-13001 | 75 | 90 | 110 | GHz | -8.0 | -5.0 | dBm |
| IOD-PMF-13001 | 90 | 115 | 140 | GHz | -8.0 | -5.0 | dBm | |
| IOD-PMD-14001 | 110 | 140 | 170 | GHz | -9.0 | -6.0 | dBm | |
| IOD-PMJ-13001 | 280 | 330 | 380 | GHz | -18.0 | -11.0 | dBm | |
| A | IOD-PMAN-13001 | 300 | – | 2500 | GHz | -34.0 | -28.0 | dBm |
(※) Wタイプは導波路結合タイプのフォトミキサーです。 出力電力は中心周波数で測定されます。
Aタイプはアンテナ一体型フォトミキサーです。 出力電力は最大電力として定義されます。
フェルミレベル制御バリア（FMB）ダイオード
FMB ダイオードはn-InGaAs/InP/n-InP 構造を基本としています。InP系半導体では、n-InGaAsのドーパント濃度を適切に設計することでフェルミレベルを伝導体中にも設定することが可能なため、n-InGaAs/InP構造で100meV前後の低い障壁エネルギー（ΦBn）が実現できます。この低障壁エネルギー構造により、InP上に集積化した広帯域アンテナや、TIAに代表される高速プリアンプとの間でほぼ完全なインピーダンス整合を得ることができます。この結果、FMBダイオードモジュールでは、広帯域THz波受信と、高い電圧電流感度及び低い等価雑音パワー（NEP) 特性を両立しています。
低雑音オペアンプ組込みFMBダイオードモジュール
IOD-FMB-18001モジュールは、自己補対ボータイアンテナを集積化したFMBダイオードチップと低雑音オペアンプを組み合わせた二乗検波用受信モジュールです。
300GHz受信において5pW/Hz0.5以下の非常に低い等価雑音パワー（NEP) と2MV/W以上の高い電圧感度を実現しました。
1THz受信時でも、45pW/Hz0.5以下のNEPを実現します。
300GHz受信において5pW/Hz0.5以下の非常に低い等価雑音パワー（NEP) と2MV/W以上の高い電圧感度を実現しました。
1THz受信時でも、45pW/Hz0.5以下のNEPを実現します。
TIA組込みFMBダイオードモジュール
IOD-FMB-19001モジュールは、自己補対ボータイアンテナを集積化したFMBダイオードチップとTIA（帯域11GHz）を組み合わせたヘテロダイン検波用受信モジュールです。二乗検波動作では、300GHz受信において15pW/Hz0.5以下の低い等価雑音パワー（NEP) と17kV/W以上の電圧感度を有しています。
ヘテロダイン検波動作では、従来のショットキーバリアダイオードに比べて3桁程度低い6µWのLOパワーにおいて1.1×10-18W/HzのNEPを実現しています。
ヘテロダイン検波動作では、従来のショットキーバリアダイオードに比べて3桁程度低い6µWのLOパワーにおいて1.1×10-18W/HzのNEPを実現しています。
| Item | Specifi cations | |
|---|---|---|
| Model | IOD-FMB-18001 | IOD-FMB-19001 |
| Module configration | Zero-bias FMB diode with op-amp | Zero-bias FMB diode with TIA |
| Antenna type | Self-complimentary bow-tie antenna | Self-complimentary bow-tie antenna |
| Lens type and diameter | Hyper-hemispherical (10mm dia.) | Hyper-hemispherical (10mm dia.) |
| Lens type and diameter | Hyper-hemispherical (10mm dia.) | Hyper-hemispherical (10mm dia.) |
| Terahertz bandwidth | > 200GHz | > 200GHz |
| Pre amplifier type | Low-noise operational amplifier | Transimpeadance amplifier |
| Pre amplifier bandwidth | 20Hz – 15kHz | 30kHz – 11.8GHz |
| Output connector | SMA (Female) | SMP×2 (male, differential output) |
| Noise equivalent power (NEP) | 5pW/sqrt(Hz) @300GHz 45pW/sqrt(Hz) @1000GHz |
15pW/sqrt(Hz) @300GHz |
| Voltage sensitivity | 2MV/W @300GHz 0.2MV/W@1000GHz |
17kV/W @300GHz |
| Electrical power supply | DC±5V | DC+3.3V |
販売実績
アカデミック
- 九州大学
- 東京都立大学
企業
- 大手重工業メーカー