フォトダイオード

Avalanche Photodiode, 10 Gb/s with TIA

製品イメージ

APD-10
特長
  • > 10 Gb/s 利得帯域幅
  • TIA 増幅器
  • 低出力消費: 0.1W Typ.
用途
  • 10GBASE-L イーサネット
  • SONET OC-192
  • SDH STM-64
  • 10G ファイバーチャンネル
  • 光ファイバーセンサー

シリーズラインナップ

  • APD-10
仕様(一部を抜粋)
項目 数値
Operating Wavelength Range 1250 nm to 1600 nm
APD Breakdown Voltage 25 V min. ; 34 V typ. ; 40 V max.
VBR Temperature Coefficient 0.07 V/°C typ. ; 0.11 V/°C max.
Total Dark Current 20 nA typ. ; 100 nA max.
Responsitivity 0.65 A/W min. ; 0.75 A/W typ.
Sensitivity -27.5 dBm min. ; -26.5 dBm max.
Transimpedance 10 kΩ min. ; 12 kΩ typ.
Capacitance 0.18 pF typ. ; 0.22 pF max.
Optical Return Loss -27 dB
3dB S21Bandwidth 6.0 GHz min. ; 8.0 GHz typ.
Digital Bandwidth 10 Gb/s

20 GHz Linear InGaAs PIN Photodetector

製品イメージ

PD-20
特長
  • 広帯域(60 KHz 〜 20 GHz)
  • 稼働温度(-30 ºC 〜 +60 ºC TQバージョン: -55 °C 〜 +70 °C)
  • 大電流処理(〜35mA)
  • 平坦な周波数応答 ±1 dB
  • 利用可能スペクトル(領)域(850 nm 〜 1650 nm)
  • 密封
用途
  • 光学増幅フォトニクスリンク
  • RZ及びNRZ(〜20 Gb/s)
  • コヒーレント光波システム

シリーズラインナップ

  • PD-20
仕様(一部を抜粋)
項目 数値
Optimized Operating Wavelength 1260 nm to 1610 nm
Useful Operating Wavelength 850 nm to 1650 nm
Optical Input Level 40 mW max.
S21 3 dB Bandwidth 17 GHz min., 19 GHz typ.
S22 Characteristics < -10 dB @ 12 GHz; < – 6 dB @ 20 GHz
Repsonsitivity 0.85 A/W @ 1550 nm typ. 0.40 A/W @ 850 nm typ.
Dark Current @ 25° C, 5 V 10 nA typ., 100 nA max.
Optical Return Loss -30.00 dB typ.
Optical PDL @ 1550 nm 0.05 dB max.
Optical Fiber SMF-28
Bias Voltage 5 V typ.
Impedance 50 Ω
Coupling AC-Coupled (DC Coupled Optional)