フォトダイオード
Avalanche Photodiode, 10 Gb/s with TIA
製品イメージ
特長
- > 10 Gb/s 利得帯域幅
- TIA 増幅器
- 低出力消費: 0.1W Typ.
用途
- 10GBASE-L イーサネット
- SONET OC-192
- SDH STM-64
- 10G ファイバーチャンネル
- 光ファイバーセンサー
シリーズラインナップ
- APD-10
仕様(一部を抜粋)
項目 | 数値 |
---|---|
Operating Wavelength Range | 1250 nm to 1600 nm |
APD Breakdown Voltage | 25 V min. ; 34 V typ. ; 40 V max. |
VBR Temperature Coefficient | 0.07 V/°C typ. ; 0.11 V/°C max. |
Total Dark Current | 20 nA typ. ; 100 nA max. |
Responsitivity | 0.65 A/W min. ; 0.75 A/W typ. |
Sensitivity | -27.5 dBm min. ; -26.5 dBm max. |
Transimpedance | 10 kΩ min. ; 12 kΩ typ. |
Capacitance | 0.18 pF typ. ; 0.22 pF max. |
Optical Return Loss | -27 dB |
3dB S21Bandwidth | 6.0 GHz min. ; 8.0 GHz typ. |
Digital Bandwidth | 10 Gb/s |
20 GHz Linear InGaAs PIN Photodetector
製品イメージ
特長
- 広帯域(60 KHz 〜 20 GHz)
- 稼働温度(-30 ºC 〜 +60 ºC TQバージョン: -55 °C 〜 +70 °C)
- 大電流処理(〜35mA)
- 平坦な周波数応答 ±1 dB
- 利用可能スペクトル(領)域(850 nm 〜 1650 nm)
- 密封
用途
- 光学増幅フォトニクスリンク
- RZ及びNRZ(〜20 Gb/s)
- コヒーレント光波システム
シリーズラインナップ
- PD-20
仕様(一部を抜粋)
項目 | 数値 |
---|---|
Optimized Operating Wavelength | 1260 nm to 1610 nm |
Useful Operating Wavelength | 850 nm to 1650 nm |
Optical Input Level | 40 mW max. |
S21 3 dB Bandwidth | 17 GHz min., 19 GHz typ. |
S22 Characteristics | < -10 dB @ 12 GHz; < – 6 dB @ 20 GHz |
Repsonsitivity | 0.85 A/W @ 1550 nm typ. 0.40 A/W @ 850 nm typ. |
Dark Current @ 25° C, 5 V | 10 nA typ., 100 nA max. |
Optical Return Loss | -30.00 dB typ. |
Optical PDL @ 1550 nm | 0.05 dB max. |
Optical Fiber | SMF-28 |
Bias Voltage | 5 V typ. |
Impedance | 50 Ω |
Coupling | AC-Coupled (DC Coupled Optional) |