株式会社QDレーザ – 量子ドットレーザ・エピタキシャルウエハ 1240 nm – 1330 nm

種類 ：エピウエハ、FP-LD、DFB-LD、ゲインチップ

ファウンドリサービスメニュー ：
【エピタキシャル成長】まで
（提供形態：エピウエハ）
3 inch または 4 inch GaAs基板上に高品質のエピタキシャル成長を行います。
成長可能層は以下の通りです。
・InAs量子ドット
・InGaAs量子井戸
・GaAs
・AlGaAs

【回折格子埋め込み再成長】まで
（提供形態：回折格子付きエピウエハ）
​活性層エピ、回折格子の形成と埋め込み再成長を行います。

​【ウエハプロセス】まで
（提供形態：プロセス後のウエハ）
エピ、CAD作業・マスク作製、ウエハプロセスを行います。

【バー加工またはチップ加工】まで
（提供形態：バーまたはチップ）
エピ、ウエハプロセス、バー形成、端面コート、チップ化を行います。

【TO-CANパッケージング】まで

（提供形態：5.6mm TO-CANパッケージ）

エピ、ウエハプロセス、チップ加工後、レーザチップを5.6mmのTO-CANにパッケージングします。

適用例 ：
・光通信用光源
・シリコンフォトニクス用光源（データセンタ内通信、スーパーコンピュータ、LiDAR、車載通信、携帯電話基地局通信）
・​地下資源探査（高温175 – 200度）