4 High-Power Pump Laser Diode modules
4.1 Multimode Fiber-coupled Laser Diodes
マルチモードファイバーカップルレーザーダイオードは、ファイバーカップルレーザーダイオードを御覧ください。
4.2 Wavelength-stabilized Laser Diodes
ウェーブレングススタビライズドレーザーダイオード (1425-1510nm EDFA Pump…)は、ファイバーカップルレーザーダイオードを御覧ください。
4.3 PUMA Laser Modules
- 635nmから1800nmまでの様々な波長で最大20Wの光出力。下表参照。
- アナログ、デジタル変調入力を備えた内蔵レーザーダイオードドライバー
- オプションで温度調節器と照準窓付き PUMAレーザーダイオードモジュールは、高輝度と長寿命が要求される光ポンピングやその他の用途向けに設計されています。PUMAは、レーザーダイオードバーの代わりに、より信頼性の高いシングルエミッターレーザーダイオードを使用しています。このような6つのレーザーダイオードのビームはコリメートされ、自由空間で結合され、コア径100-200umのマルチモードファイバーに結合されます。多くの異なる波長のレーザーダイオードを、このコンパクトで頑丈なデザインに組み込むことができます。
ピーク波長 (nm) | Part Number | 出力 | レーザータイプ | パッケージ | 分光幅 (nm) | |
---|---|---|---|---|---|---|
635-640 | PUMA-635-2 | 2W | Multi Emitter | PUMA | 2 | |
660-670 | PUMA-665-2 | 2.3W | Multi Emitter | PUMA | 2 | |
803-813 | PUMA-808-15 | 15W | Multi Emitter | PUMA | 2 | |
805-811 | PUMA-808-10 | 10W | Multi Emitter | PUMA | 2 | |
910-930 | PUMA-915-35 | 35W | Multi Emitter | PUMA | 4 | |
1050-1070 | PUMA-1060-13 | 13W | Multi Emitter | PUMA | 4 | |
1050-1070 | PUMA-1060-35 | 35W | Multi Emitter | PUMA | 4 | |
1450-1470 | PUMA-1460-15 | 15W | Multi Emitter | PUMA | 4 | |
1530-1570 | PUMA-1550-10 | 10W | Multi Emitter | PUMA | 5 |
5 Complementary products
5.1 レーザーダイオードコントローラー、マウント、ターンキー
QPhotonicsはLD、LEDコントローラーのソリューションを提供します。
- ターンキーモジュール:
- レーザーダイオード、スーパールミネッセントダイオード、LED、またはそれらの組み合わせを含む1〜3チャネル
- シングルモード、またはマルチモードのファイバーピッグテイル出力
- 波長450、520、590、630 nm のLEDと白色LED
- 670〜1550 nm のSLD
- 650〜1625 nmのレーザーダイオード
- 空冷ドライバー内蔵、プラグアンドプレイ
- CWとパルスオペレーション
- 優れたパワーとスペクトル安定性
- コンパクト、創建、信頼性
- Any LED, SLD, or laser diode from QPhotonics can be incorporated in this source
Laser diode driver with temperature controller and mount, QCombo-6310 and 6305
- Arroyo Instruments社製
- 先進的なレーザーダイオードの保護
- 最大1000mAの動作電流
- 10Vまでのコンプライアンス電圧
- 精密で安定した温度コントロール
- 325kHzまでの変調
- レーザーダイオード用マウント付属(オプションで選択可能)
- 接続ケーブル付属
- USB/RS232インターフェース
- フリーArroyoControlソフトウェア for Windows
CW laser diode driver with temperature controller and mount, QSDIL-300 and 500
- スマートでユーザーフレンドリーなデザイン
- CWオペレーション
- 最大300mAの動作電流
- 0.1%以上の電圧安定性
- 精密で安定した温度コントロール
- コンパクトサイズ (9″x6.5″x1.6″)
- 100-240V ACアダプター付属
- 14pin DILマウントまたは14pin butterflyマウント付属
- 接続ケーブル付属
Driver for UV light emitting diodes, QDUV-30 and 200
- UVTOPおよびUVCLEANLEDを含むUV発光ダイオード用のCWドライバー
- QMCOAXマウントを備えた同軸パッケージのファイバー結合レーザーダイオードに使用できます
- 0から最大200mAまで連続的に調整可能な電流
- 最大電流を制限できます
- 12時間で1%以下の高い安定性
- 100-240V ACアダプターと接続ケーブル付属
- TO-39、TO-18、およびTO-46パッケージのLED用の3ピンソケット付属
14-pin buttflyマウント、QM14BTF
- レーザーダイオード、スーパールミネッセントダイオード、半導体光増幅器など、すべての構成で14ピンバタフライパッケージが可能
- レーザーダイオードコントローラーQSDIL-300およびQSDIL-500と互換性があります。
- 最大の熱放散のために最適化されたデザイン
- 様々なダイオード用に簡単に構成できます
- レーザーダイオードとQSDILドライバーを購入すると、事前構成された状態で出荷されます。
14-pin DILマウント、QM14DIL
- スタンダードな14-pin DILパッケージ
- パッケージの装着と取り外しを簡単にするゼロインサーションフォース(ZIF)クランプ
- 最大の熱放散のために最適化されたデザイン
- レーザーダイオードコントローラーQSDIL-300およびQSDIL-500と互換性があります。
同軸ファイバ結合レーザーダイオード用マウント、QMCOAX
- 同軸パッケージのファイバー結合レーザーダイオード用のヒートシンクとして設計
- 最大の熱放散のために最適化されたデザイン
- QLDD-200ドライバーと互換性があります。
5.2 InGaAs PIN フォトダイオード
QPhotonicsは以下の波長帯域でInGaAsフォトダイオードを提供できます
630-1650nm:
- QSPDI-25ミニチュア積分球モジュール、レセプタクル付属(FC、ST、SC、U1.25またはU2.5アダプター)。
800-1650nm:
- 2-3GHz同軸マウントフォトダイオード
- FC, ST, SC, U1.25 or U2.5 adapterに互換性のあるモジュール
1000-1650nm:0.6-12GHz TO-18、G またはMini-DILパッケージのフォトダイオード。
- 例:12GHz ファイバーカップルマイクロ波フォトダイオード受信機
ピーク波長 (nm) | Part Number | 出力 | レーザータイプ | パッケージ | 分光幅 (nm) | |
---|---|---|---|---|---|---|
630-1650 | QSPDI-28 | 28dBm | NA | Receptacle/adapter | NA | |
800-1650 | QAPDI-55 | 0 | NA | Coaxial | 3 GHz | |
800-1650 | QPDI-80 | 0 | NA | Coaxial | 2.0 GHz | |
800-1650 | QPDI-80-A | 0 | NA | Coaxial | 2.0 GHz | |
800-1650 | QPDI-40 | 0 | NA | Coaxial | 4 GHz | |
800-1650 | QPDI-1000 | 10mW | NA | Receptacle | NA | |
1000-1650 | QPDF-70 | 0 | NA | TO-18 | 2 GHz | |
1000-1650 | QPDW-40 | 0 | NA | G | 12 GHz | |
1270-1580 | QPDF-200 | 0 | NA | Mini DIL | 0.6 GHz |
詳しくはお問い合わせください。
5.3 808nmレーザーダイオード用Epiウエハー
- Aixtron MOCVD
- 波長はオプションです
- シングルモードおよびマルチモードレーザーダイオード用のEpiウェハー
- AlGaAs / GaAs量子井戸(QW)活性領域
- ウェハー表面全体の高い均一性
- オプションとしてお客様が設計したEpiウエハー
ピーク波長 (nm) | Part Number | 出力 | レーザータイプ | パッケージ | 分光幅 (nm) |
---|---|---|---|---|---|
750-820 | QEWLD-808 | 0 | Epi Wafer | 25 |
Parameter | Measurement technique | Standard tolerance | Uniformity over water | Unit |
---|---|---|---|---|
QW PL/EL wavelength | PL/EL Mapping | ±5 | <=3 | nm |
Composition | X-Ray and Photovoltage Spectroscopy | ±0.03 | <=0.02 | |
Thickness | Electron microscopy | ±10 | <=10 | % |
Doping | Electrochemical C-V Profiler | ±30% | <=20 | % |