Ti:サファイア結晶 | Ti:Sapphire crystals

仕様
項目 数値
Orientation a-cut
Absorption 90-95% of 532 nm pump radiation
Figure of merit >150 (for 15 mm and longer crystals)
Clear aperture >90%
Face dimensions tolerance +0/-0,1 mm
Length tolerance ±0,1 mm
Parallelism error <30 arcsec
Perpendicularity error <10 arcmin
Protective chamfers <0,15 mm at 45˚
Surface quality 10-5 S-D
Surface flatness <λ/10@632,8 nm (for 6×6 mm and smaller crystals)
Wavefront distortion λ/4@632,8 nm
Coatings AR(R<1%)@532 nm + AR(R<0,3%)@750-850 nm on both faces
LIDT >2 J/cm2@800 nm, 300 ps
Mount Unmounted
技術データ(吸収及び発光カーブ)

特長
  • 優れた熱伝導率
  • 幅広いゲイン帯域幅
  • 幅広いポンプ波長 (典型値 532 nm)
用途
  • モードロックレーザー(超短パルス)
  • マルチパスアンプ及び再生アンプ